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国产崛起?澜起DDR4全缓冲架构纳入国际标准

2019-08-25 03:00IT中国 / ITCN

我们都知道在存储领域,DRAM内存及NAND闪存的国产率都基本是0,技术及产能主要掌握在三星、SK Hynix、美光、东芝等公司手中,尤其是高价值的DRAM内存芯片,三星、SK Hynix及美光三家公司占了全球95%的份额,国内厂商在这一行业目前基本没有话语权,但国产厂商一直在为此努力。

国内的DRAM内存芯片布局主要有合肥长鑫/兆易创新的内存芯片项目,除了DRAM芯片,国内还是一些公司主攻内存接口芯片,前不久宣布津逮系列国产X86处理器的杭州澜起科技就是其中之一,该公司正在申请国内的科创板上市,日前在招股书中披露了他们在DDR内存芯片上的技术进展及布局。


澜起科技成立于2004年,是全球内存接口芯片的主要供应商之一,发明了DDR4全缓冲“1+9”架构,最终被JEDEC国际标准采纳。公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术,为新一代服务器平台提供完全符合 JEDEC 标准的高性能内存接口解决方案,同时正积极参与DDR5 JEDEC 标准的制定,是全球可提供从DDR2到 DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一,在该领域拥有重要话语权。

随着半导体行业越来越激烈的竞争,希望国产厂商能够迅速崛起,实现科技自主,让我们不再受制于人,从而实现真正的自立自强。

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